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氮在共摻雜氧化鋅中的溶解度可增強(qiáng)400倍

點(diǎn)擊次數(shù):51561 更新時(shí)間:2014-08-11 01:13:34?? ??來(lái)源:http://m.highmindedu.com/ 【關(guān)閉
     氧化鋅廠新發(fā)現(xiàn),因?yàn)镹受主和反響施主共摻雜之間的激烈效果,氮和反響施主的共摻雜會(huì)下降其在能帶中的受主能級(jí)方位。DOS(態(tài)密度)峰向價(jià)帶頂?shù)囊苿?dòng)暗示著受主能級(jí)的下降。和作為受主的Li共摻雜或者和作為活性施主的F共摻雜,能夠制備低電阻率的P型氧化鋅?;钚匝趸\
     氧化鋅廠對(duì)ZnO中Ga和N溶解度限制的研討標(biāo)明,比較于N摻雜的ZnO,氮在共摻雜ZnO中的溶解度能夠增強(qiáng)400倍(by a factor of)。運(yùn)用共摻雜法,Joseph等[463]運(yùn)用帶有等離子源的PLD體系成功制備了所謂的P型氧化鋅薄膜。關(guān)于Ga和N的共摻雜,已然N2O能既能有效按捺氧空位,一起又能引進(jìn)氮作為受主。Hall 和Seebeck系數(shù)測(cè)量法驗(yàn)證了它的P型導(dǎo)電功能,電阻率為0.5Ωcm,載流子濃度為5×1019 cm?3,和很低的載流子遷移率0.07 cm2 /V s。這么低的載流子遷移率讓我們對(duì)P型導(dǎo)電性發(fā)生置疑。它也標(biāo)明在共摻雜技能中,非平衡態(tài)生長(zhǎng)進(jìn)程時(shí)必需要低溫。雖然在共摻雜的氧化鋅薄膜中觀察到了P型導(dǎo)電功能,但因?yàn)槿鄙俦碚?,例如共摻雜中Ga和N在禁帶中的施主和受主能級(jí)方位,所以P型特征的來(lái)歷并不明白。
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