能帶結(jié)構(gòu)描敘了帶電的單粒子狀態(tài)（即電子或空穴）。由于氧化鋅是一種直接帶隙半導體，即有球形極值點，能帶中價帶極大值和導帶極小值（VB和CB）在布里淵區(qū)中的相同點，即在K = 0的Г點，我們主要對此區(qū)域感興趣。如上所述，最低的導帶是由Zn2+空的4s態(tài)或反鍵的sp3雜化態(tài)構(gòu)成的。群理論的兼容性表以及其中參考資料）告訴我們，導帶底有不考慮自旋的Г1對稱性和考慮自旋的Г1×Г7=Г7對稱性。有效電子質(zhì)量（更準確地說極化子）幾乎各向同性，其值大約為（0.28 ± 0.02）m0。
源于O2-被占據(jù)的2p軌道或束縛SP3雜化軌道的價帶若不計自旋，在六方晶體場的影響下被分裂成Г5和Г1兩種狀態(tài)。考慮自旋后，由于自旋軌道的耦合，能帶進一步分裂成三個兩階退化的對稱的亞價帶，（Г1+Г5）×Г7=Г7+Г9+Г7。這些價帶在所有的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導體（如ZnS, CdS, CdSe, or GaN）中從高能量到低能量被標為A，B，C能帶。在絕大多數(shù)情況下，能帶排序為AГ9, BГ7,C7，而且自旋軌道分裂比晶體場分裂更大。然而，對于ZNO有長期的爭論，是否價帶的順序是通常的，還是所謂“負自旋軌道耦合”的AГ7, BГ9, CГ7順序，或倒置的價帶順序。
事實上，自旋軌道耦合總是正的。但由于氧的核電荷數(shù)小，從六角和立方IIb結(jié)構(gòu)的硫化物，硒化物，碲化物的數(shù)據(jù)可以外推到氧化物大約為15meV，。這個能級（氧的2P）與滿占據(jù)態(tài)的鋅4D能級之間的排斥可能容易使一個Г7-能級高于Г9態(tài)，導致一個倒置的價帶順序[5]，在Ib-VII族半導體CuCl中也有這種現(xiàn)象。由于A和B價帶的分裂只有5毫電子伏的數(shù)量級，而且選擇規(guī)則基本一樣（兩個上面的AГ9和BГ7價帶到Г7導帶的轉(zhuǎn)變是偶極子，而自旋翻轉(zhuǎn)（spinflip）只能允許是E C，從價帶CГ7只能是E C），關(guān)于A和B價帶對稱性的討論是小題大做。但是這些類型的問題往往傾向于有一個非常長的討論時間。最近在文獻中提出的各種詳細的支持ZnO中正常的價帶順序的討論未被證實。我們在附錄A中總結(jié)了一些支持和反對倒置價帶順序的爭論和文獻，以及能帶結(jié)構(gòu)計算的文獻。因此，我們使用下面的倒置順序AГ7，BГ9，CГ7。
氧化鋅中有效空穴質(zhì)量是各向相同的，A，B，和C價帶類似的特征值如下
一些能帶結(jié)構(gòu)計算（見附錄A）預測價帶有很強的質(zhì)量各向異性，正如他們了解的如CdS，但是文獻中收錄的實驗數(shù)據(jù)看來沒有確定ZnO有這樣的各向異性。
Г7對稱的能帶也許有一個小的k-線性項，但在圖7顯示的A價帶只有k⊥c。對于導帶這個效應是可以忽略的。
